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NXP Semiconductors
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
1.4 Quick reference data
Table 2. Quick reference data
T amb = 25 ° C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
C d
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
diode capacitance
MMBZ5V6AL
MMBZ6V2AL
MMBZ6V8AL
MMBZ9V1AL
MMBZ10VAL
MMBZ12VAL
MMBZ15VAL
MMBZ18VAL
MMBZ20VAL
MMBZ27VAL
MMBZ33VAL
f = 1 MHz; V R = 0 V
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210
175
150
155
130
110
85
70
65
48
45
3
3
4.5
6
6.5
8.5
12
14.5
17
22
26
280
230
200
200
170
140
105
90
80
60
55
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
2. Pinning information
Table 3.
Pinning
Pin
1
2
3
Description
cathode (diode 1)
cathode (diode 2)
common anode
Simplified outline
3
1
2
Graphic symbol
3
1
2
006aaa154
MMBZXAL_SER_2
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 10 December 2009
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